BSS315PH6327XTSA1
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS315PH6327XTSA1
特性：P沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅； 符合RoHS标准。 根据AEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-23
库存
25
货期
现货
BSS315PH6327XTSA1参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
BSS315PH6327XTSA1概述
特性：P沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅； 符合RoHS标准。 根据AEC61249-2-21标准无卤
BSS315PH6327XTSA1特性
暂无产品特性。
BSS315PH6327XTSA1应用领域
暂无应用领域。