BSS223PWH6327
IC
SOT-323
可供量大可议
BSS223PWH6327
特性：P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 150℃工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-323
库存
215
货期
现货
BSS223PWH6327参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 215 |
BSS223PWH6327概述
特性：P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 150℃工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSS223PWH6327特性
暂无产品特性。
BSS223PWH6327应用领域
暂无应用领域。