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BSS214NH6327
IC

SOT-23(SOT-23-3)

可供量大可议

BSS214NH6327

场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.5A 1个N沟道 SOT-23

品牌

Infineon

封装

SOT-23(SOT-23-3)

库存

30,000

货期

现货

BSS214NH6327参数

封装SOT-23(SOT-23-3)
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))250mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.2V
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存30,000
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)500mW
栅极电荷量(Qg)800pC@5V
类型N沟道

BSS214NH6327概述

场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.5A 1个N沟道 SOT-23

BSS214NH6327特性

暂无产品特性。

BSS214NH6327应用领域

暂无应用领域。

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