BSS169H6327-VB
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS169H6327-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-3； N—Channel沟道； 100V； 0.26A； RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.5V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SOT-23
库存
110
货期
现货
BSS169H6327-VB参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 110 |
BSS169H6327-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-3； N—Channel沟道； 100V； 0.26A； RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.5V； 采用Trench技术
BSS169H6327-VB特性
暂无产品特性。
BSS169H6327-VB应用领域
暂无应用领域。