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BSS169 H6327
自营可供
IC

PG-SOT-23-3

BSS169 H6327

绝缘栅场效应管(MOSFET)

品牌

Infineon

封装

PG-SOT-23-3

交期

现货

批次

26+

BSS169 H6327参数

封装PG-SOT-23-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))12Ω@10V, 0.17A
输入电容(Ciss)68pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存54,749
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)360mW
反向传输电容(Crss)7pF@10V

BSS169 H6327概述

绝缘栅场效应管(MOSFET)

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