BSS169 H6327
IC
PG-SOT-23-3
可供量大可议
BSS169 H6327
绝缘栅场效应管（MOSFET）
品牌
Infineon
封装
PG-SOT-23-3
库存
73,102
货期
现货
BSS169 H6327参数
| 封装 | PG-SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@10V, 0.17A |
| 输入电容(Ciss) | 68pF@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 73,102 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@10V |
BSS169 H6327概述
绝缘栅场效应管（MOSFET）
BSS169 H6327特性
暂无产品特性。
BSS169 H6327应用领域
暂无应用领域。