BSS159N H6327
IC
SOT-23-3
可供量大可议
BSS159N H6327
特性：N沟道。 耗尽模式。 dv/dt额定。 卷轴上带有VGS(th)指示器。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅； 无卤素， 符合RoHS标准
品牌
Infineon
封装
SOT-23-3
库存
3,025
货期
现货
BSS159N H6327参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3025 |
BSS159N H6327概述
特性：N沟道。 耗尽模式。 dv/dt额定。 卷轴上带有VGS(th)指示器。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅； 无卤素， 符合RoHS标准
BSS159N H6327特性
暂无产品特性。
BSS159N H6327应用领域
暂无应用领域。