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BSS139H6327
IC

SOT-23

可供量大可议

BSS139H6327

场效应管(MOSFET) 360mW 250V 100mA 1个N沟道

Brand

Infineon

Package

SOT-23

Stock

45,000

货期

现货

BSS139H6327Parameters

封装SOT-23
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))30Ω@0V
阈值电压(Vgs(th))1V
反向传输电容(Crss)3.3pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存45,000
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)250V
耗散功率(Pd)360mW
输入电容(Ciss)76pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)8.4pF

BSS139H6327概述

场效应管(MOSFET) 360mW 250V 100mA 1个N沟道

BSS139H6327特性

暂无产品特性。

BSS139H6327应用领域

暂无应用领域。

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