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BSS139 H6327
自营可供
IC

PG-SOT23-3

BSS139 H6327

绝缘栅场效应管(MOSFET)

品牌

Infineon

封装

PG-SOT23-3

交期

现货

批次

26+

BSS139 H6327参数

封装PG-SOT23-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))30Ω@0V
阈值电压(Vgs(th))2.1V@56uA
输入电容(Ciss)76pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)8.4pF
分类场效应管(MOSFET)
库存21,297
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)250V
耗散功率(Pd)360mW
栅极电荷量(Qg)3.5nC
反向传输电容(Crss)3.3pF
类型N沟道

BSS139 H6327概述

绝缘栅场效应管(MOSFET)

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