BSS138PW-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
BSS138PW-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流0.1A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻1300毫欧, 栅源耐压20V。 器件适用于低压开关与信号切换场景, 如便携设备电源管理、电池保护及负载控制电路。 其60V耐压支持中等电压应用, 1300毫欧导通电阻有助于降低功耗, 适合对空间与能效有要求的消费电子及通信模块设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
90
货期
现货
BSS138PW-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
BSS138PW-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流0.1A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻1300毫欧, 栅源耐压20V。 器件适用于低压开关与信号切换场景, 如便携设备电源管理、电池保护及负载控制电路。 其60V耐压支持中等电压应用, 1300毫欧导通电阻有助于降低功耗, 适合对空间与能效有要求的消费电子及通信模块设计。
BSS138PW-HXY特性
暂无产品特性。
BSS138PW-HXY应用领域
暂无应用领域。
