BSS138-G
IC
SOT-23-3
可供量大可议
BSS138-G
这些N沟道增强型场效应晶体管采用体专有的高单元密度DMOS技术制造。 这些产品旨在最大限度地降低导通电阻， 同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。 这些产品特别适用于低电压、低电流应用， 如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应用
品牌
onsemi
封装
SOT-23-3
库存
3,050
货期
现货
BSS138-G参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3050 |
BSS138-G概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用体专有的高单元密度DMOS技术制造。 这些产品旨在最大限度地降低导通电阻， 同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。 这些产品特别适用于低电压、低电流应用， 如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应用
BSS138-G特性
暂无产品特性。
BSS138-G应用领域
暂无应用领域。