BSS127IXTSA1
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS127IXTSA1
特性：n- 沟道增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 dv/dt 额定。 100% 无铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 完全符合 JEDEC 工业应用标准
品牌
Infineon
封装
SOT-23
库存
140
货期
现货
BSS127IXTSA1参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 140 |
BSS127IXTSA1概述
特性：n- 沟道增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 dv/dt 额定。 100% 无铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 完全符合 JEDEC 工业应用标准
BSS127IXTSA1特性
暂无产品特性。
BSS127IXTSA1应用领域
暂无应用领域。