BSS123TA-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
BSS123TA-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 100V； 0.26A； RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V； 这是一款单个N型MOSFET， 适用于低功率应用场合。 其主要特点包括适中的电压和电流承受能力， 以及较高的阈值电压和导通电阻。 可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中， 特别适合于小型和便携式设备。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
5
货期
现货
BSS123TA-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
BSS123TA-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 100V； 0.26A； RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V； 这是一款单个N型MOSFET， 适用于低功率应用场合。 其主要特点包括适中的电压和电流承受能力， 以及较高的阈值电压和导通电阻。 可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中， 特别适合于小型和便携式设备。
BSS123TA-VB特性
暂无产品特性。
BSS123TA-VB应用领域
暂无应用领域。