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BSS123LT1G
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IC

SOT-23

BSS123LT1G

场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

交期

现货

批次

25+

BSS123LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次25+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))6Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2.6V
反向传输电容(Crss)4pF
分类场效应管(MOSFET)
库存275,921
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)225mW
输入电容(Ciss)20pF
工作温度-55℃~+150℃

BSS123LT1G概述

场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道

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