BSS123LT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS123LT1G
场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
249,081
货期
现货
BSS123LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 249,081 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 输入电容(Ciss) | 20pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS123LT1G概述
场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道
BSS123LT1G特性
暂无产品特性。
BSS123LT1G应用领域
暂无应用领域。