BSS123-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS123-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V； 10Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：680mW 阈值电压(Vgs(th))：1.4V@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
2,680
货期
现货
BSS123-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2680 |
BSS123-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V； 10Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：680mW 阈值电压(Vgs(th))：1.4V@250uA
BSS123-JSM特性
暂无产品特性。
BSS123-JSM应用领域
暂无应用领域。