BSS123(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS123(UMW)
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 适用于作为负载开关或PWM应用。 ESD保护2KV HBM
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
2,240
货期
现货
BSS123(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2240 |
BSS123(UMW)概述
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 适用于作为负载开关或PWM应用。 ESD保护2KV HBM
BSS123(UMW)特性
暂无产品特性。
BSS123(UMW)应用领域
暂无应用领域。