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BSS123
IC

SOT-23

可供量大可议

BSS123

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品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

17,734

货期

现货

BSS123参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET/深圳华轩阳
批次23+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5.5Ω@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)14pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)10pF
商品型号BSS123
单位个
商品重量3.4e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存17734
MOQ / SPQ20 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)350mW
栅极电荷量(Qg)2.5nC@10V
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道
商品名称1个N沟道 耐压:100V 电流:200mA
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

BSS123概述

沟槽功率中压MOSFET技术 - 电压控制小信号开关 - 高密度单元设计, 实现低RDS(ON) - 快速开关速度

BSS123特性

暂无产品特性。

BSS123应用领域

  • 小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-开关应用

商务邮箱 / Email

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