BSS119NH6327XTSA1-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 适用于小功率开关及信号控制类应用。 主要参数包括：最大漏极电流ID为0.2A， 漏源击穿电压VDSS为100V， 导通电阻RDON为2800mΩ， 具备较高的电压耐受能力， 适合用于低电流场景下的开关控制。 该器件广泛应用于消费类电子产品中的电源管理、LED驱动、继电器控制及小型家电控制电路中， 性能稳定， 兼容性强。