BSR802N-HXY

BSR802N N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装， 专为高功率密度和高效能电路设计。 器件具有20V的漏源电压(VDSS)， 并能在低至18mR的导通电阻(RD(on))下， 支持高达6A的连续漏极电流(ID)。 这款MOS管适用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等场景， 凭借其出色的电流处理能力和高效能表现， 成为优化系统性能的理想选择。