BSR316P H6327
IC
SC-59-3
可供量大可议
BSR316P H6327
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 封装尺寸与SOT23兼容。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SC-59-3
库存
2
货期
现货
BSR316P H6327参数
| 封装 | SC-59-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
BSR316P H6327概述
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 封装尺寸与SOT23兼容。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSR316P H6327特性
暂无产品特性。
BSR316P H6327应用领域
暂无应用领域。