BSR315P H6327
IC
SC-59-3
可供量大可议
BSR315P H6327
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 封装尺寸和引脚与SOT-23 / SuperSOT-23兼容。 雪崩额定SC-59。 无铅引脚涂层， 符合RoHS标准。 漏极引脚3。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SC-59-3
库存
349
货期
现货
BSR315P H6327参数
| 封装 | SC-59-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 349 |
BSR315P H6327概述
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 封装尺寸和引脚与SOT-23 / SuperSOT-23兼容。 雪崩额定SC-59。 无铅引脚涂层， 符合RoHS标准。 漏极引脚3。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSR315P H6327特性
暂无产品特性。
BSR315P H6327应用领域
暂无应用领域。