BSR106WS-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BSR106WS-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达60V。 其正向压降VF典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达10A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。 整体参数组合使其在多种常规电子电路中具备稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
20
货期
现货
BSR106WS-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSR106WS-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达60V。 其正向压降VF典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达10A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。 整体参数组合使其在多种常规电子电路中具备稳定可靠的性能表现。
BSR106WS-HXY特性
暂无产品特性。
BSR106WS-HXY应用领域
暂无应用领域。
