BSP89H6327XTSA1
IC
SOT-223-4
可供量大可议
BSP89H6327XTSA1
场效应管(MOSFET) 1.8W 240V 350mA 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
SOT-223-4
库存
19,075
货期
现货
BSP89H6327XTSA1参数
| 封装 | SOT-223-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 240V |
| 驱动电压（最大 Rds On， 最小 Rds On） | 4.5V， 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 108µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19,075 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 350mA， 10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | TO-261-4， TO-261AA |
BSP89H6327XTSA1概述
场效应管(MOSFET) 1.8W 240V 350mA 1个N沟道
BSP89H6327XTSA1特性
暂无产品特性。
BSP89H6327XTSA1应用领域
暂无应用领域。