BSP88H6327
IC
SOT-223-4
可供量大可议
BSP88H6327
特性：N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 2.8V额定。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-223-4
库存
3
货期
现货
BSP88H6327参数
| 封装 | SOT-223-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
BSP88H6327概述
特性：N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 2.8V额定。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSP88H6327特性
暂无产品特性。
BSP88H6327应用领域
暂无应用领域。