BSP716N H6327
IC
SOT-223
可供量大可议
BSP716N H6327
特性：N沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-223
库存
12
货期
现货
BSP716N H6327参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
BSP716N H6327概述
特性：N沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSP716N H6327特性
暂无产品特性。
BSP716N H6327应用领域
暂无应用领域。