BSP62-JSM
IC
SOT-223
可供量大可议
BSP62-JSM
PNP 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：1.25W 直流电流增益(hFE@Vce, Ic)：2000@10V, 500mA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-223
库存
895
货期
现货
BSP62-JSM参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 895 |
BSP62-JSM概述
PNP 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：1.25W 直流电流增益(hFE@Vce, Ic)：2000@10V, 500mA
BSP62-JSM特性
暂无产品特性。
BSP62-JSM应用领域
暂无应用领域。