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BSP51,115
自营可供
IC

SOT-223-3

BSP51,115

达林顿管 1.25W 60V 2000@10V, 500mA NPN

品牌

Nexperia

封装

SOT-223-3

交期

现货

批次

24+

BSP51,115参数

封装SOT-223-3
品牌Nexperia(安世)
批次24+
类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集电极截止电流(Icbo)50nA
直流电流增益(hFE)2000
射基极击穿电压(Vebo)5V
工作温度-65℃~+150℃
分类达林顿管
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)1.25W
集射极饱和电压(VCE(sat))1.3V
特征频率(fT)200MHz
基极-发射极饱和电压(VBE(sat))1.9V

BSP51,115概述

达林顿管 1.25W 60V 2000@10V, 500mA NPN

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