BSP33-HXY
IC
SOT-223
可供量大可议
BSP33-HXY
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下的稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达80V, 提供良好的电气隔离保护。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围为100至250, 适用于需要精确放大信号的场合。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 能够支持高频应用而不失真。 这些特性使其成为音频设备及其他敏感电子组件中不可或缺的部分。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-223
库存
25
货期
现货
BSP33-HXY参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
BSP33-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下的稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达80V, 提供良好的电气隔离保护。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围为100至250, 适用于需要精确放大信号的场合。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 能够支持高频应用而不失真。 这些特性使其成为音频设备及其他敏感电子组件中不可或缺的部分。
BSP33-HXY特性
暂无产品特性。
BSP33-HXY应用领域
暂无应用领域。
