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BSP33-HXY
IC

SOT-223

可供量大可议

BSP33-HXY

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下的稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达80V, 提供良好的电气隔离保护。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围为100至250, 适用于需要精确放大信号的场合。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 能够支持高频应用而不失真。 这些特性使其成为音频设备及其他敏感电子组件中不可或缺的部分。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-223

库存

25

货期

现货

BSP33-HXY参数

封装SOT-223
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存25

BSP33-HXY概述

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下的稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达80V, 提供良好的电气隔离保护。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围为100至250, 适用于需要精确放大信号的场合。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 能够支持高频应用而不失真。 这些特性使其成为音频设备及其他敏感电子组件中不可或缺的部分。

BSP33-HXY特性

暂无产品特性。

BSP33-HXY应用领域

暂无应用领域。

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