BSP318S(UMW)
IC
SOT-223
可供量大可议
BSP318S(UMW)
特性：VDS(V)=60V。 ID = 2.6A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.15Ω(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.09Ω(VGS = 4.5V)。 N- 沟道。 增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dv/dt 额定。 无铅引脚电镀； 符合 RoHS 标准
品牌
UMW
封装
SOT-223
库存
2,500
货期
现货
BSP318S(UMW)参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
BSP318S(UMW)概述
特性：VDS(V)=60V。 ID = 2.6A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.15Ω(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.09Ω(VGS = 4.5V)。 N- 沟道。 增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dv/dt 额定。 无铅引脚电镀； 符合 RoHS 标准
BSP318S(UMW)特性
暂无产品特性。
BSP318S(UMW)应用领域
暂无应用领域。