BSP317P H6327
IC
SOT-223
可供量大可议
BSP317P H6327
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
SOT-223
库存
1,040
货期
现货
BSP317P H6327参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1040 |
BSP317P H6327概述
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSP317P H6327特性
暂无产品特性。
BSP317P H6327应用领域
暂无应用领域。