BSP316PH6327XTSA1
IC
SOT-223
可供量大可议
BSP316PH6327XTSA1
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101标准认证。 根据IEC 61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-223
库存
31
货期
现货
BSP316PH6327XTSA1参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
BSP316PH6327XTSA1概述
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101标准认证。 根据IEC 61249-2-21标准无卤
BSP316PH6327XTSA1特性
暂无产品特性。
BSP316PH6327XTSA1应用领域
暂无应用领域。