BSP250,115-VB
IC
SOT-223
可供量大可议
BSP250,115-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT223； P—Channel沟道； -30V； -8A； RDS(ON)=43(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
86
货期
现货
BSP250,115-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 86 |
BSP250,115-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT223； P—Channel沟道； -30V； -8A； RDS(ON)=43(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
BSP250,115-VB特性
暂无产品特性。
BSP250,115-VB应用领域
暂无应用领域。