BSP135H6327
IC
SOT-223-4
可供量大可议
BSP135H6327
特性：N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。 卷盘上带有VGS(th)指示器。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 符合AEC Q101标准。 符合IEC61249-2-21的无卤标准
品牌
Infineon
封装
SOT-223-4
库存
2,690
货期
现货
BSP135H6327参数
| 封装 | SOT-223-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2690 |
BSP135H6327概述
特性：N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。 卷盘上带有VGS(th)指示器。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 符合AEC Q101标准。 符合IEC61249-2-21的无卤标准
BSP135H6327特性
暂无产品特性。
BSP135H6327应用领域
暂无应用领域。