BSO220N03MDGXUMA1
IC
SOIC-8
可供量大可议
BSO220N03MDGXUMA1
特性：双N沟道。 针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）。 适用于消费级应用。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOIC-8
库存
936
货期
现货
BSO220N03MDGXUMA1参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 936 |
BSO220N03MDGXUMA1概述
特性：双N沟道。 针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）。 适用于消费级应用。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSO220N03MDGXUMA1特性
暂无产品特性。
BSO220N03MDGXUMA1应用领域
暂无应用领域。