BSO203SP H
IC
DSO-8
可供量大可议
BSO203SP H
特性：单P沟道， 采用SO8封装， 符合JEDEC针对目标应用的标准。 工作温度：150℃。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 无铅电镀， 符合RoHS标准， 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
DSO-8
库存
5
货期
现货
BSO203SP H参数
| 封装 | DSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
BSO203SP H概述
特性：单P沟道， 采用SO8封装， 符合JEDEC针对目标应用的标准。 工作温度：150℃。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 无铅电镀， 符合RoHS标准， 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSO203SP H特性
暂无产品特性。
BSO203SP H应用领域
暂无应用领域。