BSO200P03S-VB
IC
SO-8
可供量大可议
BSO200P03S-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道功率场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中， 其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -9A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
50
货期
现货
BSO200P03S-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 输入电容(Ciss) | 1.455nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | BSO200P03S-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00018 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:9A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
BSO200P03S-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道功率场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中， 其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -9A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
BSO200P03S-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
BSO200P03S-VB应用领域
- 负载开关-电池开关