BSO150N03MDG
IC
DSO-8
可供量大可议
BSO150N03MDG
特性：双N沟道， 针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、POL）进行优化。 低FOM_SW， 适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时具有非常低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 适用于消费级应用。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
DSO-8
库存
2
货期
现货
BSO150N03MDG参数
| 封装 | DSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
BSO150N03MDG概述
特性：双N沟道， 针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、POL）进行优化。 低FOM_SW， 适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时具有非常低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 适用于消费级应用。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSO150N03MDG特性
暂无产品特性。
BSO150N03MDG应用领域
暂无应用领域。