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BSO150N03MD G
自营可供
IC

DSO-8

BSO150N03MD G

MOSFET N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS

品牌

Infineon

封装

DSO-8

交期

现货

批次

25+

BSO150N03MD G参数

封装DSO-8
品牌Infineon(英飞凌)
批次25+
数量2个N沟道
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)970pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)340pF
分类场效应管(MOSFET)
库存11,054
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)12.6nC@10V
反向传输电容(Crss)20pF
类型N沟道

BSO150N03MD G概述

MOSFET N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS

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BSO150N03MD G Infineon | IC-CHIP B2B