BSO110N03MSG
IC
DSO-8
可供量大可议
BSO110N03MSG
特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 高频开关电源的低品质因数FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)@VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 × RDS(on)乘积（FOM）。 符合消费级应用要求。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
DSO-8
库存
300
货期
现货
BSO110N03MSG参数
| 封装 | DSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
BSO110N03MSG概述
特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 高频开关电源的低品质因数FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)@VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 × RDS(on)乘积（FOM）。 符合消费级应用要求。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSO110N03MSG特性
暂无产品特性。
BSO110N03MSG应用领域
暂无应用领域。