BSO083N03MSGXUMA1-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
BSO083N03MSGXUMA1-HXY
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为15A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升， 提升系统效率。 其电气特性适用于高频开关场景， 常见于电源转换、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路， 能够支持紧凑型设计与高能效运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
90
货期
现货
BSO083N03MSGXUMA1-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
BSO083N03MSGXUMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为15A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升， 提升系统效率。 其电气特性适用于高频开关场景， 常见于电源转换、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路， 能够支持紧凑型设计与高能效运行。
BSO083N03MSGXUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSO083N03MSGXUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。