BSO080P03S H
IC
DSO-8
可供量大可议
BSO080P03S H
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 150℃工作温度。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
DSO-8
库存
3
货期
现货
BSO080P03S H参数
| 封装 | DSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
BSO080P03S H概述
特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 150℃工作温度。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSO080P03S H特性
暂无产品特性。
BSO080P03S H应用领域
暂无应用领域。