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BSO040N03MSGXUMA1-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

BSO040N03MSGXUMA1-HXY

这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其30V的漏源耐压与30A的连续漏极电流能力, 使其能够从容应对高功率负载的需求。 低至3.3mΩ的导通电阻是其核心优势, 能显著降低导通状态下的能量损耗与热生成, 从而提升整体系统的转换效率。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路的设计提供了充足的裕度, 增强了应用的可靠性。 凭借这些特性, 该器件尤其适合应用于各类高密度电源模块、DC-DC转换器及大电流负载开关等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

48

货期

现货

BSO040N03MSGXUMA1-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

BSO040N03MSGXUMA1-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其30V的漏源耐压与30A的连续漏极电流能力, 使其能够从容应对高功率负载的需求。 低至3.3mΩ的导通电阻是其核心优势, 能显著降低导通状态下的能量损耗与热生成, 从而提升整体系统的转换效率。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路的设计提供了充足的裕度, 增强了应用的可靠性。 凭借这些特性, 该器件尤其适合应用于各类高密度电源模块、DC-DC转换器及大电流负载开关等场景。

BSO040N03MSGXUMA1-HXY特性

暂无产品特性。

BSO040N03MSGXUMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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