BSO040N03MSGXUMA1-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
BSO040N03MSGXUMA1-HXY
这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其30V的漏源耐压与30A的连续漏极电流能力, 使其能够从容应对高功率负载的需求。 低至3.3mΩ的导通电阻是其核心优势, 能显著降低导通状态下的能量损耗与热生成, 从而提升整体系统的转换效率。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路的设计提供了充足的裕度, 增强了应用的可靠性。 凭借这些特性, 该器件尤其适合应用于各类高密度电源模块、DC-DC转换器及大电流负载开关等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
48
货期
现货
BSO040N03MSGXUMA1-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
BSO040N03MSGXUMA1-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其30V的漏源耐压与30A的连续漏极电流能力, 使其能够从容应对高功率负载的需求。 低至3.3mΩ的导通电阻是其核心优势, 能显著降低导通状态下的能量损耗与热生成, 从而提升整体系统的转换效率。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路的设计提供了充足的裕度, 增强了应用的可靠性。 凭借这些特性, 该器件尤其适合应用于各类高密度电源模块、DC-DC转换器及大电流负载开关等场景。
BSO040N03MSGXUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSO040N03MSGXUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
