BSO040N03MS G
IC
DSO-8
可供量大可议
BSO040N03MS G
特性：针对5V驱动应用进行优化（笔记本电脑、VGA、负载点）。 低开关品质因数（FOM_SW）， 适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。 符合消费级应用标准。 无铅电镀， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
DSO-8
库存
10
货期
现货
BSO040N03MS G参数
| 封装 | DSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
BSO040N03MS G概述
特性：针对5V驱动应用进行优化（笔记本电脑、VGA、负载点）。 低开关品质因数（FOM_SW）， 适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。 符合消费级应用标准。 无铅电镀， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSO040N03MS G特性
暂无产品特性。
BSO040N03MS G应用领域
暂无应用领域。