BSN20BKR-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
BSN20BKR-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：330mA 耗散功率(Pd)：1.672W 阈值电压(Vgs(th))：1.4V@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
1,540
货期
现货
BSN20BKR-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1540 |
BSN20BKR-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：330mA 耗散功率(Pd)：1.672W 阈值电压(Vgs(th))：1.4V@250uA
BSN20BKR-JSM特性
暂无产品特性。
BSN20BKR-JSM应用领域
暂无应用领域。