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BSN20-7
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IC

SOT-23

BSN20-7

场效应管(MOSFET) 600mW 50V 500mA 1个N沟道

品牌

DIODES

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

BSN20-7参数

封装SOT-23
品牌DIODES(美台)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2Ω@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)15pF
分类场效应管(MOSFET)
库存67,189
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)50V
耗散功率(Pd)600mW
栅极电荷量(Qg)800pC@10V
反向传输电容(Crss)10pF
类型N沟道

BSN20-7概述

场效应管(MOSFET) 600mW 50V 500mA 1个N沟道

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