BSL806N-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
BSL806N-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于小功率和低电流的应用场景。 SOT23-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1.5V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
50
货期
现货
BSL806N-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 400pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
| 商品型号 | BSL806N-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:20V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
BSL806N-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于小功率和低电流的应用场景。 SOT23-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1.5V
BSL806N-VB特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
BSL806N-VB应用领域
暂无应用领域。