BSL308PEH6327
IC
TSOP-6
可供量大可议
BSL308PEH6327
特性：双P沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TSOP-6
库存
5
货期
现货
BSL308PEH6327参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
BSL308PEH6327概述
特性：双P沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSL308PEH6327特性
暂无产品特性。
BSL308PEH6327应用领域
暂无应用领域。