BSL308CH6327XTSA1
IC
TSOP-6
可供量大可议
BSL308CH6327XTSA1
特性：互补 P + N 沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
品牌
Infineon
封装
TSOP-6
库存
420
货期
现货
BSL308CH6327XTSA1参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 420 |
BSL308CH6327XTSA1概述
特性：互补 P + N 沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
BSL308CH6327XTSA1特性
暂无产品特性。
BSL308CH6327XTSA1应用领域
暂无应用领域。