BSL207SP H6327
IC
TSOP-6
可供量大可议
BSL207SP H6327
特性：P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 工作温度150℃。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TSOP-6
库存
85
货期
现货
BSL207SP H6327参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
BSL207SP H6327概述
特性：P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 工作温度150℃。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSL207SP H6327特性
暂无产品特性。
BSL207SP H6327应用领域
暂无应用领域。